智通财经APP获悉，有媒体报道称，韩国存储芯片巨头三星电子在邮件回应中表示，市场传言其DRAM存储产品DDR系列存储卡价格将上涨80%并不准确。具体增加金额根据经销商的增加情况而定。三星电子主要分销商发布涨价通知的主要原因是全球半导体市场供需格局发生重大变化，包括供应端可能长期受限、制造成本大幅上升、存储芯片产能远低于市场需求等。不过，一些接受媒体采访的内存模组产品厂商表示，尚未收到大幅涨价的通知。据媒体报道，另一家内存模组制造商表示，三星内存模组的价格实际上会大幅上涨，但主要厂商nufacturer没有提供涨价的具体数据。本月早些时候，有报道称，韩国最大的两家内存芯片制造商和全球最大的两家内存芯片制造商三星电子和SK海力士正在考虑在第一季度将服务器级DDR内存（包括DDR4和DDR5）的价格提高最多70%，因为超大型数据中心AI训练/推理系统的需求不断增长正在对全球供应体系产生全面影响。据此前媒体2025年11月的报道，三大存储芯片制造商（三星电子、SK海力士和存储芯片制造商美国莫里亚美光科技（MU.US））在大幅削减整体DRAM/NAND产能以完全专注于高带宽存储产能（即HBM存储系统）后，其旧动态RAM产品线（即传统DRAM存储系列）已经面临严重短缺。三星和SK海力士正在积极增加HBM的产品化容量，DDR系列和企业级SSD的价格上涨。 HBM 为 NVIDIA、AMD、Google/Broadcom 等芯片设计巨头提供构建 AI GPU/AI ASIC 计算集群所需的存储。这是一个系统。无论是谷歌庞大的TPU AI计算集群，还是NVIDIA庞大的AI GPU计算集群，都离不开HBM存储系统与AI芯片全面融合的需求。 SK海力士是“AI芯片超级冠军”NVIDIA（NVDA.US）的HBM芯片领导者供应商。此外，据韩国媒体报道，三星电子为 NVIDIA 和 AMD 等 AI 芯片制造商定制的 HBM4E 设计工作预计将于 2026 年 5 月至 6 月期间完成。这一最新时间表显示，虽然三星的 HBM4 仍主要是标准化产品，但业界的重点正在迅速转向定制化 HBM4E 和集成 GPU AI/AI ASIC 以及未来的 HBM5 生产能力。与此同时，三星的主要竞争对手 SK 海力士和美光我们正在按照相似的时间表前进，主要内存制造商在下一代技术的研发方面也不甘落后。存储芯片三大垄断厂商SK海力士、三星和美光，将大部分产能集中在HBM的Systemsmore存储上。这些存储产品需要先进的工艺能力以及制造、封装和测试的复杂性，比DDR和HDD/SSD存储芯片系列复杂得多。因此，三大存储芯片公司不断将产能转移到HBM，极大地加剧了这些硬盘存储产品的短缺。据行业统计，自2025年9月以来，DDR5系列内存模组的总价格上涨了300%以上，DDR4内存模组的价格也上涨了150%以上。根据 Counterpoint Research 等组织的行业研究，人工智能服务器系统数据中心级别需要的内存比常规服务器系统至少多 8 到 10 倍。由于如此巨大的需求，IA服务器消耗了全球每月内存产能的53%。高端存储的巨大需求，给消费内存DDR系列产品的容量配置带来了巨大的压力。谷歌、微软等全球领先的云计算服务厂商纷纷下达巨额订单，并争取了三大存储芯片厂商未来两到三年的部分闲置产能。花旗分析师预测，由于人工智能推理和培训需求，数据中心企业服务器 DRAM 的平均售价将在 2026 年同比增长 144%（之前的预测为 +91%）。以旗舰64GB DDR5 RDIMM产品为例，花旗预计2026年第一季度其价格将达到620美元，环比上涨38%，大幅高于此前预测的518美元。花旗的预测同样激进NAND 领域，将 2026 年平均售价增长预测从 +44% 提高至 +74%。其中，企业级SSD的平均售价预计将同比增长87%。花旗分析师表示，存储芯片市场将进入非常激烈的卖方市场，定价权完全掌握在三星、SK海力士以及美光和闪迪等存储巨头手中。
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